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一种高导电自支撑碳纳米管复合薄膜的制备方法
摘要文本
本申请公开了一种高导电自支撑碳纳米管复合薄膜的制备方法，涉及碳纳米管技术领域。包括以下步骤：将单壁碳纳米管、烷基苯磺酸钠分散剂、聚(3, 4‑亚乙基二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐溶液和去离子水混合均匀后，进行分散，得到单壁碳纳米管分散液；对单壁碳纳米管分散液进行过滤，得到黑色被截留物，将黑色被截留物烘干后，得到黑色薄膜；对黑色薄膜进行洗涤、烘干后，得到成品碳纳米管复合薄膜。本申请减少了绝缘物质的使用，又可提高高导电物质聚(3, 4‑亚乙基二氧噻吩)在水中的溶解性，大幅提高了碳纳米管复合薄膜的导电率，最高可达5×105S/m以上，可实现大面积高导电自支撑碳纳米管复合薄膜的制备。 来源：马 克 团 队
申请人信息
- 申请人:成都飞机工业(集团)有限责任公司
- 申请人地址:610031 四川省成都市青羊区黄田坝纬一路88号
- 发明人: 成都飞机工业(集团)有限责任公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种高导电自支撑碳纳米管复合薄膜的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410071796.3 |
| 申请日 | 2024/1/18 |
| 公告号 | CN117586539A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | C08J5/18 |
| 权利人 | 成都飞机工业(集团)有限责任公司 |
| 发明人 | 李愉珧; 徐伟伟; 宋志梅; 刘雨杭; 杨松 |
| 地址 | 四川省成都市青羊区黄田坝纬一路88号 |
专利主权项内容
1.一种高导电自支撑碳纳米管复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将单壁碳纳米管、烷基苯磺酸钠分散剂、聚(3, 4-亚乙基二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐溶液和去离子水混合均匀后，进行分散，得到单壁碳纳米管分散液；对所述单壁碳纳米管分散液进行过滤，得到黑色被截留物，将所述黑色被截留物烘干后，得到黑色薄膜；对所述黑色薄膜进行洗涤、烘干后，得到成品碳纳米管复合薄膜。