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一种绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片
摘要文本
发明涉及电容器技术领域，具体涉及一种绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片，通过将表面电银层金属导电区域进行分区，可有效控制焊料的沿展，使焊料仅分布在一定的区域内，防止焊料沿金属导电区沿展超出固定区域，从而保证内外电极之间的绝缘距离，同时还可减缓过多焊料的应力作用导致芯片瓷体开裂的情况。。www.macrodatas.cn
申请人信息
- 申请人:成都宏科电子科技有限公司
- 申请人地址:610100 四川省成都市经济技术开发区(龙泉驿)星光中路20号
- 发明人: 成都宏科电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410180321.8 |
| 申请日 | 2024/2/18 |
| 公告号 | CN117727560A |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01G4/005 |
| 权利人 | 成都宏科电子科技有限公司 |
| 发明人 | 肖富强; 舒钞; 牟宇; 杨海涛 |
| 地址 | 四川省成都市经济技术开发区(龙泉驿)星光中路20号 |
专利主权项内容
1.一种绝缘间距可控的单层穿心瓷介电容器芯片，其特征在于，包括：陶瓷体，所述陶瓷体中间设置有中心圆孔；所述陶瓷体包括上表面和下表面；沿所述陶瓷体上表面的边缘设有第一外环陶瓷体区域；沿陶瓷体上表面中心圆孔周围设有第一内环陶瓷体区域；所述第一内环陶瓷体区域与所述陶瓷体上表面的中心圆孔之前设置有第一环形金属电极区域；所述第一内环陶瓷体区域与所述第一外环陶瓷体区之间设置有第二环形金属电极区域；沿所述陶瓷体下表面的中心圆孔边缘设有第二内环陶瓷体区域；所述陶瓷体下表面的靠近外圈处设置设有第二外环陶瓷体区域；所述第二外环陶瓷体区域与所述陶瓷体下表面边缘之间设置有第三环形金属电极区域；所述第二外环陶瓷体区域与所述第二内环陶瓷体区域之间设置有第四环形金属电极区域；所述第一外环陶瓷体区域和所述第二外环陶瓷体区域均设置有连接线路，所述第一环形金属电极区域与所述第二环形金属电极区域之间通过所述连接线路连通；所述第三环形金属电极区域与所述第四环形金属电极区域之间通过所述连接线路连通。 更多数据：搜索马克数据网来源：www.macrodatas.cn