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一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件
摘要文本
本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：制作图形化的第二掩膜层；去除图形化的第二掩膜层的覆盖区域之外的第二掺杂多晶硅层，以形成图形化的第二掺杂多晶硅层；去除图形化的第二掺杂多晶硅层的覆盖区域之外的第二介质层，以形成图形化的第二介质层；去除第一掩膜层以及图形化的第二掩膜层。本申请实施例提供一种太阳电池的制备方法，该太阳电池的制备方法，能够实现制作受光面钝化接触结构，同时去除受光面poly结构在背光面上的绕镀，不破坏背光面poly结构。
申请人信息
- 申请人:通威太阳能(眉山)有限公司
- 申请人地址:620038 四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
- 发明人: 通威太阳能(眉山)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410137295.0 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117673207A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 通威太阳能(眉山)有限公司 |
| 发明人 | 何宇; 周华; 蔡晓玲 |
| 地址 | 四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号 |
专利主权项内容
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：在第一导电类型的硅片的背光面上制备背离所述硅片依次层叠的第一介质层、掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂元素的第一非晶硅层、第一掩膜层；在所述硅片的受光面上制备背离所述硅片依次层叠的第二介质层、掺杂有具有所述第一导电类型的掺杂元素的第二非晶硅层、第二掩膜层；将所述第一非晶硅层晶化转变为第一掺杂多晶硅层，激活所述第二导电类型的掺杂元素；将所述第二非晶硅层晶化转变为第二掺杂多晶硅层，激活所述第一导电类型的掺杂元素；制作图形化的所述第二掩膜层；去除图形化的所述第二掩膜层的覆盖区域之外的所述第二掺杂多晶硅层，以形成图形化的所述第二掺杂多晶硅层；去除图形化的所述第二掺杂多晶硅层的覆盖区域之外的所述第二介质层，以形成图形化的第二介质层；去除所述第一掩膜层以及图形化的所述第二掩膜层。