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一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件
摘要文本
本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件。该太阳电池的制备方法，包括：形成第二导电类型的第一掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层背离第一介质层的一面形成第一玻璃层；在硅片的正面制备沿背离硅片的方向依次设置的第二介质层和第二本征硅层；对第二本征硅层进行掺杂并晶化，形成第一导电类型的第二掺杂多晶硅层，第二掺杂多晶硅层的表面形成第二玻璃层；制作图形化的第二玻璃层；去除图形化的第二玻璃层覆盖范围之外的第二掺杂多晶硅层和第二介质层，形成图形化的第二掺杂多晶硅层以及图形化的第二介质层。该太阳电池的制备方法去除正面poly膜层结构在背面的绕镀，同时不破坏背面poly膜层结构。
申请人信息
- 申请人:通威太阳能(眉山)有限公司
- 申请人地址:620038 四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
- 发明人: 通威太阳能(眉山)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种太阳电池的制备方法、太阳电池及光伏组件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410137334.7 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117673208A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L31/18 |
| 权利人 | 通威太阳能(眉山)有限公司 |
| 发明人 | 何宇; 蔡晓玲 |
| 地址 | 四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号 |
专利主权项内容
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一导电类型的硅片的背面制备沿背离所述硅片的方向依次设置的第一介质层和第一本征硅层；对所述第一本征硅层进行掺杂并晶化，形成具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层背离所述第一介质层的一面形成第一玻璃层；在所述硅片的正面制备沿背离所述硅片的方向依次设置的第二介质层和第二本征硅层；对所述第二本征硅层进行掺杂并晶化，形成具有所述第一导电类型的第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层的表面形成第二玻璃层；制作图形化的所述第二玻璃层；去除图形化的所述第二玻璃层覆盖范围之外的所述第二掺杂多晶硅层和所述第二介质层，形成图形化的所述第二掺杂多晶硅层以及图形化的所述第二介质层；去除所述第一玻璃层以及图形化的所述第二玻璃层。