太阳电池及其制备方法、光伏组件

专利主权项内容

1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括：衬底，所述衬底具有N型导电类型；图形化的第一钝化接触结构，设于所述衬底的受光面，所述第一钝化接触结构包括靠近所述衬底的第一介质层、远离所述衬底的第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层具有所述N型导电类型；其中，所述第一介质层的厚度小于或者等于2 nm；整面的第二钝化接触结构，设于所述衬底的背光面，所述第二钝化接触结构包括靠近所述衬底的第二介质层、远离所述衬底的第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层具有不同于所述N型导电类型的P型导电类型，使所述第二掺杂多晶硅层与所述衬底构成PN结；其中，所述第二介质层的厚度大于2 nm，所述第二介质层具有连通所述衬底与所述第二掺杂多晶硅层的通孔，所述第二掺杂多晶硅层中P型导电元素的掺杂浓度为5×10 atom/cm~3×10 atom/cm；183203第一功能层，设于所述衬底的受光面以及所述第一掺杂多晶硅层远离所述衬底的一面；第二功能层，设于所述第二掺杂多晶硅层远离所述衬底的一面；第一电极，穿透所述第一功能层与所述第一掺杂多晶硅层欧姆接触；所述第一钝化接触结构的图形化区域与所述第一电极的图形化区域对应设置；第二电极，穿透所述第二功能层与所述第二掺杂多晶硅层欧姆接触。