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一种半导体激光泵浦源的波长跟随特性测量装置及方法
摘要文本
本发明公开一种半导体激光泵浦源的波长跟随特性测量装置及方法，涉及波长跟随特性测量领域，待测半导体激光泵浦源产生泵浦光；泵浦光用于对增益光纤进行增益；未被增益光纤吸收的泵浦光输入反向包层光剥除器；种子源产生信号光，信号光通过增益光纤进行放大，放大后的信号光通过正向包层光剥除器；还包括数据采集装置和与数据采集装置连接的数据处理装置；数据采集装置用于采集经过正向包层光剥除器的光信号和待测半导体激光泵浦源的供电电流；数据处理装置用于根据经过正向包层光剥除器的光信号和供电电流计算半导体激光泵浦源的波长跟随特性。本发明能提高量化波长跟随特性测量的时间分辨率。。更多数据：www.macrodatas.cn
申请人信息
- 申请人:中国工程物理研究院激光聚变研究中心
- 申请人地址:621999 四川省绵阳市绵山路64号
- 发明人: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体激光泵浦源的波长跟随特性测量装置及方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410057505.5 |
| 申请日 | 2024/1/16 |
| 公告号 | CN117589312A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | G01J9/00 |
| 权利人 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 发明人 | 史仪; 廖若宇; 窦心怡; 罗韵; 郭超; 欧阳丽娥; 潘文杰; 马天; 辛雄; 邹东洋; 王建军 |
| 地址 | 四川省绵阳市绵山路64号 |
专利主权项内容
1.一种半导体激光泵浦源的波长跟随特性测量装置，其特征在于，包括：依次设置的种子源、反向包层光剥除器、增益光纤和正向包层光剥除器；待测半导体激光泵浦源产生泵浦光；所述泵浦光用于对所述增益光纤进行增益；未被所述增益光纤吸收的泵浦光输入所述反向包层光剥除器；所述种子源产生信号光，所述信号光通过所述增益光纤进行放大，放大后的信号光通过所述正向包层光剥除器；所述半导体激光泵浦源的波长跟随特性测量装置还包括数据采集装置和与所述数据采集装置连接的数据处理装置；所述数据采集装置用于采集经过所述正向包层光剥除器的光信号和所述待测半导体激光泵浦源的供电电流；所述数据处理装置用于根据经过所述正向包层光剥除器的光信号和供电电流计算半导体激光泵浦源的波长跟随特性。