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一种碳化硅封装热沉的制备方法
摘要文本
本发明提供一种碳化硅封装热沉的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)在碳化硅单晶衬底的正反面制备厚度为2000~20000A的氮化铝薄膜；(2)在氮化铝薄膜上制备金属种子层；(3)在金属种子层上依次电镀第一铜层、镍层和金层后，蒸发制备铂层；(4)在铂层上采用双电子枪同时蒸发金和锡制备金锡焊料层，得到所述碳化硅封装热沉。本发明所述的制备方法操作简单，得到的碳化硅封装热沉的热导率高且绝缘性好，具有大规模推广应用前景。
申请人信息
- 申请人:天津正新光电科技有限公司
- 申请人地址:300300 天津市滨海新区天津自贸试验区(空港经济区)东九道69号生产楼二、二层
- 发明人: 天津正新光电科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅封装热沉的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410125228.7 |
| 申请日 | 2024/1/30 |
| 公告号 | CN117650053A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L21/48 |
| 权利人 | 天津正新光电科技有限公司 |
| 发明人 | 贾晓霞; 李军; 王勇 |
| 地址 | 天津市滨海新区天津自贸试验区(空港经济区)东九道69号生产楼二、二层 |
专利主权项内容
1.一种碳化硅封装热沉的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)在碳化硅单晶衬底的正反面制备厚度为2000~20000A的氮化铝薄膜；(2)在氮化铝薄膜上制备金属种子层；(3)在金属种子层上依次电镀第一铜层、镍层和金层后，蒸发制备铂层；(4)在铂层上采用双电子枪同时蒸发金和锡制备金锡焊料层，得到所述碳化硅封装热沉。