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一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法
摘要文本
本发明提供了一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法，包括如下步骤：将清洗后的衬底片上片至刻蚀后的外延炉反应腔室内，烘焙外延炉，之后通入氢气对外延炉反应腔室吹扫；随后在衬底片上生长外延层；外延层生长过程为：第一阶段：在1050～1060℃下以5～6μm/min的生长速度进行生长；第二阶段：在1040～1050℃下以2～3μm/min的生长速度继续生长外延层；第三阶段：在1030～1040℃下以低于1μm/min的生长速度继续生长补足外延层至目标厚度；外延层生长结束后降温取出外延片。本发明所述的制备方法在提高硅外延生长速率的同时，保证外延片厚度和电阻率的可控，并有效降低裂片和滑移线的产生。
申请人信息
- 申请人:中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 申请人地址:300320 天津市河西区洞庭路26号
- 发明人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410108386.1 |
| 申请日 | 2024/1/26 |
| 公告号 | CN117626425A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | C30B25/16 |
| 权利人 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 发明人 | 刘奇; 龚一夫; 王亚倞; 赵扬; 翟玥; 图布新; 李明达; 傅颖洁; 薛兵; 李杨; 彭永纯; 唐发俊 |
| 地址 | 天津市河西区洞庭路26号 |
专利主权项内容
1.一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：将清洗后的衬底片上片至刻蚀后的外延炉反应腔室内，升温到1160～1180℃烘焙外延炉，之后通入氢气对外延炉反应腔室吹扫；随后在衬底片上生长外延层；外延层生长结束后降温取出外延片；所述外延层生长过程分为如下三个阶段：第一阶段：在1050～1060℃下以5～6μm/min的生长速度进行生长，生长时间为5-15min；第二阶段：在1040～1050℃下以2～3μm/min的生长速度继续生长外延层，生长时间为5-15min；第三阶段：在1030～1040℃下以低于1μm/min的生长速度继续生长补足外延层至目标厚度。