一种晶片粘接方法及粘片装置
摘要文本
本发明涉及一种晶片粘接方法及粘片装置,属于半导体材料的加工领域,用粘接剂将模板粘贴到载盘上;将粘接剂依次涂覆到载盘上的数个晶片孔中;数个晶片的A面朝下,依次放置到每个晶片孔中粘接剂上;在载盘上方覆盖一层纸,将压头与底座装配到一起;向压头充压,压头的胶皮鼓气对晶片的B面进行第一阶段挤压;胶皮鼓气对晶片的B面进行第二阶段挤压;将粘片装置移到冷却台上,进行冷却;待粘片装置冷却至室温后,将压头取下,从底座上取出载盘;对上述粘接完成的晶片的B面进行后续工序处理;依次将数个晶片从数个晶片孔中取出;将晶片的B面朝下,并对晶片的A面进行后续的工序处理,保障了加工晶片的精度。 (更多数据,详见马克数据网)
申请人信息
- 申请人:中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 申请人地址:300220 天津市河西区洞庭路26号
- 发明人: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种晶片粘接方法及粘片装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410204452.5 |
| 申请日 | 2024/2/23 |
| 公告号 | CN117810156A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/683 |
| 权利人 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 发明人 | 高飞; 张弛; 王英民; 霍晓青; 李晖; 李宝珠 |
| 地址 | 天津市河西区洞庭路26号 |
专利主权项内容
1.一种晶片粘接方法,其特征在于,步骤如下:第一步,选择数个晶片(2)作为待加工的晶片;第二步,根据待加工的晶片(2)尺寸,选择粘片装置(1)的模板(1-1);第三步,用熔点大于90℃的粘接剂(3)将模板(1-1)粘贴到载盘(1-2)上;第四步,将粘片装置(1)的底座(1-4)放置到加热台上,再将载盘(1-2)放置到底座(1-4)的正中心,加热台的温度设置为50℃~90℃,将粘接剂(3)依次涂覆到载盘(1-2)上的数个晶片孔(1-1-2)中;第五步,数个晶片(2)的A面朝下,依次放置到每个晶片孔(1-1-2)中粘接剂(3)上;第六步,在载盘(1-2)上方覆盖一层纸,将粘片装置(1)的压头(1-3)与底座(1-4)装配到一起;第七步,向压头(1-3)充压,压头(1-3)的胶皮(1-3-2)鼓气对晶片(2)的B面进行第一阶段挤压;向压头(1-3)再充压,胶皮(1-3-2)鼓气对晶片(2)的B面进行第二阶段挤压,经过此阶段挤压后,粘接剂层的厚度偏差将小于等于2μm;将装配到一起的粘片装置整体移到冷却台上,进行冷却;第八步,待粘片装置冷却至室温后,将压力示值调整为0MPa;将压头(1-3)取下,从底座(1-4)上取出载盘(1-2);第九步,对上述粘接完成的晶片(2)的B面进行后续的研磨或减薄或抛光工序处理;第十步,待晶片(2)的B面研磨或减薄或抛光工序处理完成后,将载盘(1-2)放置到加热台上,加热台的温度设置为50℃~90℃,依次将数个晶片从数个晶片孔(1-1-2)中取出,对晶片进行清洗;第十一步,将清洗处理过的晶片(2)的B面朝下,对晶片进行粘贴,并对晶片(2)的A面进行后续的研磨或减薄或抛光工序处理,其方法与第四步到第十步的方法相同,完成晶片(2)的B面和A面研磨或减薄或抛光加工。