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晶圆加工系统、装置、方法及晶圆减薄设备

申请号: CN202410163184.7
申请人: 华海清科股份有限公司; 华海清科(北京)科技有限公司
申请日期: 2024/2/5

摘要文本

本申请实施例涉及晶圆减薄技术领域,提供了一种晶圆加工系统、装置、方法及晶圆减薄设备,该晶圆加工系统包括承载台、水射流组件、计算机存储介质;承载台,用于放置经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆,并带动晶圆绕晶圆的轴线方向旋转;水射流组件,用于向晶圆的边缘喷射水流,以去除晶圆的崩边;计算机存储介质用于存储计算机程序产品,该计算机程序产品在执行时用于控制承载台和水射流组件执行如下方法:确定经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆被放置在承载台上;控制承载台带动晶圆绕晶圆的轴线方向转动,并且控制水射流组件向晶圆的边缘喷射水流,以去除晶圆的崩边。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 晶圆加工系统、装置、方法及晶圆减薄设备
专利类型 发明申请
申请号 CN202410163184.7
申请日 2024/2/5
公告号 CN117697554A
公开日 2024/3/15
IPC主分类号 B24B7/22
权利人 华海清科股份有限公司; 华海清科(北京)科技有限公司
发明人 陈超; 付永旭; 靳凯强; 赵德文
地址 天津市津南区咸水沽镇聚兴道11号; 北京市大兴区经济技术开发区地盛北街1号院40号楼11层1107室

专利主权项内容

1.一种晶圆加工系统,其特征在于,包括承载台、水射流组件、计算机存储介质;所述承载台,用于放置经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆,并带动所述晶圆绕所述晶圆的轴线方向旋转;所述水射流组件,用于向所述晶圆的边缘喷射水流,以去除所述晶圆的崩边;所述计算机存储介质用于存储计算机程序产品,该计算机程序产品在执行时用于控制所述承载台和所述水射流组件执行如下方法:确定经过磨削处理且未经过抛光处理的晶圆被放置在承载台上;控制所述承载台带动所述晶圆绕所述晶圆的轴线方向转动,并且控制所述水射流组件向所述晶圆的边缘喷射水流,以去除所述晶圆的崩边;其中,水射流组件喷射的用于去除崩边的水流压力为:P=KQ^2η^4/(S^2),其中,P为压力,Q为流体流量,η为喷嘴效率系数,S为喷嘴口的截面积,K为常数, Q^2表示Q的2次方,η^4表示η的4次方,S^2表示S的2次方。。 (更多数据,详见马克数据网)