一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法

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更多数据：搜索马克数据网来源：www.macrodatas.cn 1.一种存储芯片稀疏失效单元电路的修复方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：芯片测试机运行测试程序获取存储芯片整体的失效单元电路信息，首先分配特定区域的失效单元电路的修复方案；将剩余的稀疏失效单元信息存储到哈希表数据结构中，标记为Φ集合；S2：在任一区域中，生成X-Y哈希表结构和Y-X哈希表结构；S3：分别构建X坐标覆盖度矩阵和Y坐标覆盖度矩阵，将每个X地址或Y地址所对应失效单元的数量值作为覆盖度值；S4：分别构建X坐标影响作用度矩阵和Y坐标影响作用度矩阵，获取每个X地址或Y地址所对应失效单元的数量k，若k大于等于2，则影响作用度加1，累计计算得到任一坐标下的影响作用度；S5：当行和列备用电路未使用完时，获得X坐标中覆盖度最大的值α和影响作用度最小的值γ，以及Y坐标中覆盖度最大的值β和影响作用度最小的值δ；若α大于β，则优先修复α对应的X坐标，否则优先修复β对应的Y坐标，若α等于β，则优先修复γ和δ中最小的值对应的坐标；S6：当行备用电路使用完时，获取Y覆盖度矩阵的集合大小，若集合大小值小于列备用电路数量，直接修复Y覆盖度中的Y坐标集合；否则该存储芯片不可修复，停止迭代；S7：当列备用电路使用完时，获取X覆盖度矩阵的集合大小，若集合大小值小于行备用电路数量，直接修复X覆盖度中的X坐标集合；否则该存储芯片不可修复，停止迭代；S8：重复上述S1-S7，直至Φ集合中所有稀疏失效单元信息被清空，存储芯片修复完成。