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一种负载Sn单原子的1T/2H-MoS2杂化纳米材料及其制备方法和应用

申请号: CN202410056600.3
申请人: 安徽农业大学
申请日期: 2024/1/16

摘要文本

本发明属于电催化材料领域,具体涉及一种负载Sn单原子的1T/2H‑MoS2杂化纳米材料及其制备方法和应用。所述1T/2H‑MoS2载体包括单体2H‑MoS2和单体1T‑MoS2,所述单体2H‑MoS2和单体1T‑MoS2都为片层结构组装成的球形结构,表面生长有纳米花,所述纳米花由大量的边缘暴露的纳米片组装而成,在1T/2H‑MoS2载体中,所述单体1T‑MoS2在2H‑MoS2表面生长,完全包裹在2H‑MoS2的表面,形成了空心球状结构;所述1T/2H‑MoS2的的表面负载有Sn单原子形式的Sn。所述杂化纳米材料作为电催化剂,能够在全pH值条件下进行电催化析氢反应。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种负载Sn单原子的1T/2H-MoS2杂化纳米材料及其制备方法和应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202410056600.3
申请日 2024/1/16
公告号 CN117822011A
公开日 2024/4/5
IPC主分类号 C25B11/031
权利人 安徽农业大学
发明人 叶盛; 杨能聪; 金浩; 曹竹伟; 刘璐璐; 褚芮希; 何翠
地址 安徽省合肥市蜀山区长江西路130号安徽农业大学

专利主权项内容

1.一种负载Sn单原子的1T/2H-MoS杂化纳米材料,其特征在于:所述1T/2H-MoS载体包括单体2H-MoS和单体1T-MoS,所述单体2H-MoS和单体1T-MoS都为片层结构组装成的球形结构,表面生长有纳米花,所述纳米花由大量的边缘暴露的纳米片组装而成,在1T/2H-MoS载体中,所述单体1T-MoS在2H-MoS表面生长,完全包裹在2H-MoS的表面,形成了空心球状结构;所述1T/2H-MoS的的表面负载有Sn单原子形式的Sn。22222222222