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一种负载Sn单原子的1T/2H-MoS2杂化纳米材料及其制备方法和应用
摘要文本
本发明属于电催化材料领域,具体涉及一种负载Sn单原子的1T/2H‑MoS2杂化纳米材料及其制备方法和应用。所述1T/2H‑MoS2载体包括单体2H‑MoS2和单体1T‑MoS2,所述单体2H‑MoS2和单体1T‑MoS2都为片层结构组装成的球形结构,表面生长有纳米花,所述纳米花由大量的边缘暴露的纳米片组装而成,在1T/2H‑MoS2载体中,所述单体1T‑MoS2在2H‑MoS2表面生长,完全包裹在2H‑MoS2的表面,形成了空心球状结构;所述1T/2H‑MoS2的的表面负载有Sn单原子形式的Sn。所述杂化纳米材料作为电催化剂,能够在全pH值条件下进行电催化析氢反应。
申请人信息
- 申请人:安徽农业大学
- 申请人地址:230036 安徽省合肥市巢湖市长江西路130号
- 发明人: 安徽农业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种负载Sn单原子的1T/2H-MoS2杂化纳米材料及其制备方法和应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410056600.3 |
| 申请日 | 2024/1/16 |
| 公告号 | CN117822011A |
| 公开日 | 2024/4/5 |
| IPC主分类号 | C25B11/031 |
| 权利人 | 安徽农业大学 |
| 发明人 | 叶盛; 杨能聪; 金浩; 曹竹伟; 刘璐璐; 褚芮希; 何翠 |
| 地址 | 安徽省合肥市蜀山区长江西路130号安徽农业大学 |
专利主权项内容
1.一种负载Sn单原子的1T/2H-MoS杂化纳米材料,其特征在于:所述1T/2H-MoS载体包括单体2H-MoS和单体1T-MoS,所述单体2H-MoS和单体1T-MoS都为片层结构组装成的球形结构,表面生长有纳米花,所述纳米花由大量的边缘暴露的纳米片组装而成,在1T/2H-MoS载体中,所述单体1T-MoS在2H-MoS表面生长,完全包裹在2H-MoS的表面,形成了空心球状结构;所述1T/2H-MoS的的表面负载有Sn单原子形式的Sn。22222222222