← 返回列表
顶层金属的制备方法及半导体结构
摘要文本
本申请涉及一种顶层金属制备方法及半导体结构，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：提供基底，于基底上形成牺牲层，在牺牲层内形成用于限定顶层金属的凹槽；至少在凹槽的内表面形成第一金属阻挡层；至少于凹槽内形成顶面齐平于牺牲层的顶面的金属材料层；形成覆盖金属材料层、第一金属阻挡层及牺牲层的顶面的第二金属阻挡层；去除牺牲层，及干法刻蚀并去除位于牺牲层的顶面的第二金属阻挡层，剩余的第一金属阻挡层、金属材料层及剩余的第二金属阻挡层用于构成顶层金属。本申请实施例至少能够避免在制备顶层金属的过程中侵蚀顶层金属的侧表面。。 （macrodatas.cn）
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 顶层金属的制备方法及半导体结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410010678.1 |
| 申请日 | 2024/1/4 |
| 公告号 | CN117524980A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L21/768 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 周文鑫; 李婷; 王文智 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种顶层金属制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底，于所述基底上形成牺牲层；在所述牺牲层内形成用于限定所述顶层金属的凹槽；至少在所述凹槽的内表面形成第一金属阻挡层；至少于所述凹槽内形成顶面齐平于所述牺牲层的顶面的金属材料层；形成覆盖所述金属材料层、所述第一金属阻挡层及所述牺牲层的顶面的第二金属阻挡层；去除所述牺牲层，及干法刻蚀并去除位于所述牺牲层的顶面的第二金属阻挡层，剩余的所述第二金属阻挡层、所述金属材料层及剩余的所述第二金属阻挡层用于构成所述顶层金属。 数据由马 克 团 队整理