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图像传感器的制作方法及图像传感器
摘要文本
本公开涉及一种图像传感器的制作方法及图像传感器，图像传感器的制作方法，包括以下步骤：提供基底；在基底上形成第一氮化硅层，第一氮化硅层包括氢离子，第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，形成第一氮化硅层之后的结构具有第一应力；在第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，第二氮化硅层具有第二应力，第二应力和第一应力相反。本公开的图像传感器的制作方法及图像传感器，减少了第一氮化硅层的游离的氢离子，避免游离的氢离子损伤基底的表面，同时第二应力和第一应力相反，减小了基底上的叠层对基底表现出的应力，从而降低图像传感器的暗电流、减小白点缺陷，提高了图像传感器的成像质量。 （更多数据，详见马克数据网）
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 图像传感器的制作方法及图像传感器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410065880.4 |
| 申请日 | 2024/1/17 |
| 公告号 | CN117594621A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 朱瑶; 朱人伟; 杨军 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一氮化硅层，所述第一氮化硅层包括氢离子，所述第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，形成所述第一氮化硅层之后的结构具有第一应力；在所述第一氮化硅层上形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层具有第二应力，所述第二应力和所述第一应力相反。