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溅射刻蚀方法及半导体结构
摘要文本
本申请涉及一种溅射刻蚀方法及半导体结构。该方法包括：于真空腔室的载台上放置待处理对象，并向真空腔室内通入待电离气体；真空腔室的腔壁内设有射频线圈，真空腔室的顶部设有靶材；于依序进行的第一阶段、第二阶段、第三阶段以及第四阶段分别对应启动施加第一功率的直流电信号、第二功率的交流电信号、第三功率的直流电信号和第四功率的交流电信号，以依次将待电离气体电离成具有第一密度的等离子体、进一步形成具有第二密度的等离子体、均匀化等离子体以及对待处理对象进行刻蚀。本申请通过优化多个不同类型电信号的启动施加时序，从而可以有效提高溅射刻蚀处理的稳定性，进而可以确保于执行溅射刻蚀处理所得到的半导体结构的形貌质量。
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 溅射刻蚀方法及半导体结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410016595.3 |
| 申请日 | 2024/1/5 |
| 公告号 | CN117524828A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01J37/34 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 付世启; 许亮亮; 胡万春; 王鑫 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种溅射刻蚀方法，其特征在于，包括：于真空腔室的载台上放置待处理对象，并向所述真空腔室内通入待电离气体；所述真空腔室的腔壁内设有射频线圈，所述真空腔室的顶部设有靶材，所述靶材一侧设有第一电极，所述载台一侧设有第二电极；第一阶段，向所述第一电极启动施加第一功率的直流电信号，电离所述待电离气体，形成具有第一密度的等离子体；第二阶段，向所述射频线圈启动施加第二功率的交流电信号，形成具有第二密度的等离子体，所述第二密度大于所述第一密度；第三阶段，向所述射频线圈启动施加第三功率的直流电信号，均匀化所述等离子体；第四阶段，向所述第二电极启动施加第四功率的交流电信号，控制所述等离子体对所述待处理对象进行刻蚀；其中，所述第一功率的直流电信号、所述第二功率的交流电信号、所述第三功率的直流电信号和所述第四功率的交流电信号依序分阶段启动施加。。搜索马 克 数 据 网