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一种半导体器件及其制作方法
摘要文本
本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底，包括并列设置的第一区域和第二区域；浅沟槽，设置在第一区域和第二区域之间；扩散抑制层，设置在浅沟槽的侧壁和底部，且侧壁上的扩散抑制层距离衬底的表面具有预设距离；碳扩散层，设置在扩散抑制层和衬底之间；还原氧化层，设置在扩散抑制层向衬底的表面延伸的一端；隔离氧化层，设置在扩散抑制层和还原氧化层上；隔离介质，设置在浅沟槽内，覆盖隔离氧化层；以及栅极氧化层，设置在第一区域和第二区域上。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的电性性能。
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体器件及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410137954.0 |
| 申请日 | 2024/2/1 |
| 公告号 | CN117690954A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 陈兴 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
数据由马 克 数 据整理 。1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，包括并列设置的第一区域和第二区域；浅沟槽，设置在所述第一区域和所述第二区域之间；扩散抑制层，设置在所述浅沟槽的侧壁和底部，且侧壁上的所述扩散抑制层距离所述衬底的表面具有预设距离；碳扩散层，设置在所述扩散抑制层和所述衬底之间；还原氧化层，设置在所述浅沟槽的侧壁上，且位于所述扩散抑制层向所述衬底的表面延伸的一端；隔离氧化层，设置在所述扩散抑制层和所述还原氧化层上；隔离介质，设置在所述浅沟槽内，覆盖所述隔离氧化层；以及栅极结构，设置在所述第一区域和所述第二区域的所述衬底上。