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半导体结构的制作方法及其结构
摘要文本
本申请涉及一种半导体结构的制作方法及其结构，包括：提供衬底，衬底内形成有多个间隔排列的浅沟槽隔离结构，且浅沟槽隔离结构的顶面与衬底的第一表面齐平；于衬底的第二表面上形成保护层；于衬底和保护层内形成多个与浅沟槽隔离结构相对应的隔离结构；隔离结构外凸于保护层，且外凸于保护层的部分隔离结构为复合格栅，位于保护层及衬底内的部分隔离结构为深沟槽隔离结构；去除保护层以及部分衬底，以露出各深沟槽隔离结构；于各深沟槽隔离结构之间的衬底上形成多层功能层，各多层功能层的材料不同；其中，复合格栅外凸于多层功能层。本申请先形成隔离结构再采用回刻衬底并依次沉积功能层以形成感光区的制作方法，提高了图像传感器的感光性能。 来源：百度马 克 数据网
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构的制作方法及其结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410052033.4 |
| 申请日 | 2024/1/15 |
| 公告号 | CN117577658A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 陈维邦 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内形成有多个间隔排列的浅沟槽隔离结构，且所述浅沟槽隔离结构的顶面与所述衬底的第一表面齐平；于所述衬底的第二表面上形成保护层；于所述衬底和所述保护层内形成多个与所述浅沟槽隔离结构相对应的隔离结构；所述隔离结构外凸于所述保护层，且外凸于所述保护层的部分所述隔离结构为复合格栅，位于所述保护层及所述衬底内的部分所述隔离结构为深沟槽隔离结构；去除所述保护层以及部分所述衬底，以露出各所述深沟槽隔离结构；于各所述深沟槽隔离结构之间的衬底上形成多层功能层，各所述功能层的材料不同；其中，所述复合格栅外凸于所述多层功能层。