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半导体器件的制备方法
摘要文本
本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极，以及栅极上形成有掩膜层；形成第一侧墙覆盖栅极及掩膜层的侧面；形成第一氧化层填充覆盖至栅极的上方，且第一氧化层的表面与掩膜层的表面齐平以显露出第一侧墙；执行刻蚀工艺刻蚀去除第一侧墙及第一侧墙正下方的部分衬底，以在衬底中形成凹槽；以及，去除第一氧化层，执行热氧化工艺形成第二氧化层填充凹槽且延伸覆盖衬底的表面，以凹槽中的第二氧化层作为氧化隔离块，氧化隔离块位于栅极两侧的衬底内；本发明通过氧化隔离块抑制离子向沟道扩散且降低漏端电场强度，改善热载流子效应。。更多数据：www.macrodatas.cn
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410194518.7 |
| 申请日 | 2024/2/22 |
| 公告号 | CN117766569A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 林智伟; 胡迎宾 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极，以及所述栅极上形成有掩膜层；形成第一侧墙覆盖所述栅极及所述掩膜层的侧面；形成第一氧化层填充覆盖至所述栅极的上方，且所述第一氧化层的表面与所述掩膜层的表面齐平以显露出所述第一侧墙；执行刻蚀工艺刻蚀去除所述第一侧墙及所述第一侧墙正下方的部分所述衬底，以在所述衬底中形成凹槽；以及，去除所述第一氧化层，执行热氧化工艺形成第二氧化层填充所述凹槽且延伸覆盖所述衬底的表面，以所述凹槽中的所述第二氧化层作为氧化隔离块，所述氧化隔离块位于所述栅极两侧的衬底内。