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一种图像传感器的制作方法
摘要文本
本发明提出了一种图像传感器的制作方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：提供一衬底，包括器件区和非器件区；在衬底上形成第一氧化层，第一氧化层覆盖器件区并延伸至部分非器件区上；在非器件区的衬底上形成台阶；在衬底上形成第二氧化材料层，第二氧化材料层覆盖第一氧化层、台阶的表面和侧壁；在第二氧化材料层表面形成牺牲层；对牺牲层进行至少两次平坦化处理，以去除牺牲层和部分厚度的第二氧化材料层，再进行抛光处理，形成第二氧化层；在第二氧化层上形成高键合强度的键合接触层；将键合接触层与承载基板进行键合，形成图像传感器。本发明提供的一种图像传感器的制作方法，能有效改善图像传感器的质量和良率。
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种图像传感器的制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410129350.1 |
| 申请日 | 2024/1/31 |
| 公告号 | CN117690943A |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 陶磊; 刘文彬; 吴冠毅; 周宗典 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底包括器件区和非器件区；在所述衬底上形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述器件区并延伸至部分所述非器件区上；在所述非器件区的所述衬底上形成台阶；在所述衬底上形成第二氧化材料层，所述第二氧化材料层覆盖所述第一氧化层、所述台阶的表面和侧壁；在所述第二氧化材料层表面形成牺牲层；对所述牺牲层进行至少两次平坦化处理，以去除所述牺牲层和部分厚度的所述第二氧化材料层，再进行抛光处理，形成第二氧化层；在所述第二氧化层上形成键合接触层；以及将所述键合接触层与承载基板进行键合，形成图像传感器。 更多数据：搜索马克数据网来源：www.macrodatas.cn