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一种半导体器件及其制作方法
摘要文本
本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成垫氧化层、垫氮化层和氧化硬掩模层；在衬底内形成多个沟槽；在沟槽的侧壁和底部形成保护氧化层，在垫氧化层与衬底的界面，保护氧化层向垫氧化层的底部生长，且厚度递减；回刻垫氮化层；去除氧化硬掩模层和保护氧化层，在沟槽靠近所述衬底的顶部边缘，沟槽与两侧的衬底之间形成预设倾斜角度的斜坡；在沟槽内形成介质层；在介质层上形成屏蔽栅极；去除垫氧化层、垫氮化层和部分介质层；在衬底和屏蔽栅极上形成栅间氧化层；在部分栅间氧化层上形成控制栅极。通过本发明提供的一种半导体器件及其制作方法，提高半导体器件的性能。。 （macrodatas.cn）
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体器件及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410109634.4 |
| 申请日 | 2024/1/26 |
| 公告号 | CN117637814A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 周成; 周晓峰 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成垫氧化层、垫氮化层和氧化硬掩模层；在所述衬底内形成多个沟槽；在所述沟槽的侧壁和底部形成保护氧化层，在所述垫氧化层与所述衬底的界面，所述保护氧化层向所述垫氧化层的底部生长，且厚度递减；回刻所述垫氮化层；去除所述氧化硬掩模层和所述保护氧化层，在所述沟槽靠近所述衬底的顶部边缘，所述沟槽与两侧的所述衬底之间形成预设倾斜角度的斜坡；在所述沟槽内形成介质层；在所述介质层上形成屏蔽栅极；去除所述垫氧化层、所述垫氮化层和部分所述介质层；在所述衬底和所述屏蔽栅极上形成栅间氧化层；以及在部分所述栅间氧化层上形成控制栅极。