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一种LDMOS器件及其制备方法
摘要文本
本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，LDMOS器件包括设置于衬底中的源区、漏区、Pbody区和漂移区，设置于衬底上的至少两个间隔设置的栅极结构、至少两个阻挡结构、介质层和场板，源区和漏区分别位于每个栅极结构的两侧，阻挡结构从栅极结构远离源区一侧的衬底上向源区方向延伸，并覆盖栅极结构的部分侧壁和部分表面，栅极结构和阻挡结构一一对应设置，且介质层覆盖衬底、栅极结构和阻挡结构；阻挡结构包括从下至上依次堆叠设置的第一阻挡层、多晶硅层和第二阻挡层，场板从上至下依次贯通介质层、第二阻挡层和多晶硅层，并伸入第一阻挡层中。本发明通过阻挡结构与场板结构整合，可以优化并降低电场分布强度，并提高击穿电压。 数据由马 克 数 据整理
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种LDMOS器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410231492.9 |
| 申请日 | 2024/3/1 |
| 公告号 | CN117810252A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/40 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 陈晓妍; 陈立业; 许苏; 张鹏鹏; 林政纬; 张德培 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种LDMOS器件，包括设置于衬底中的源区、漏区、Pbody区和漂移区，设置于衬底上的至少两个间隔设置的栅极结构、至少两个阻挡结构、介质层和场板，其特征在于，所述源区和漏区分别位于每个所述栅极结构的两侧，所述阻挡结构从所述栅极结构远离所述源区一侧的衬底上向所述源区方向延伸，并覆盖所述栅极结构的部分侧壁和部分表面，所述栅极结构和阻挡结构一一对应设置，且所述介质层覆盖所述衬底、栅极结构和阻挡结构；其中，所述阻挡结构包括从下至上依次堆叠设置的第一阻挡层、多晶硅层和第二阻挡层，所述场板从上至下依次贯通所述介质层、第二阻挡层和多晶硅层，并伸入所述第一阻挡层中。。来自马-克-数-据