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半导体结构的制作方法、电路及芯片
摘要文本
本公开涉及一种半导体结构的制作方法、电路及芯片，半导体结构的制作方法，包括：提供衬底；在衬底上形成下电极，在下电极的顶面上形成绝缘层；于绝缘层上形成第一光刻胶掩膜，在第一光刻胶掩膜中形成第一开口，第一开口至少暴露出绝缘层的部分顶面；形成顶层金属层，部分顶层金属层填充到第一开口中并叠置在绝缘层上，另一部分顶层金属层覆盖在第一光刻胶掩膜上；去除第一光刻胶掩膜和第一光刻胶掩膜上的顶层金属层，第一开口中的顶层金属层形成上电极，上电极和下电极交叠的区域形成半导体结构，半导体结构的结构和性能完整，没有断线的问题。 来自马-克-数-据-官网
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构的制作方法、电路及芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410033303.7 |
| 申请日 | 2024/1/10 |
| 公告号 | CN117542733A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | H01L21/3213 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 郑威; 徐华超; 林子荏; 杨智强 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成下电极，在所述下电极的顶面上形成绝缘层；于所述绝缘层上形成第一光刻胶掩膜，在所述第一光刻胶掩膜中形成第一开口，所述第一开口至少暴露出所述绝缘层的部分顶面；形成顶层金属层，部分所述顶层金属层填充到所述第一开口中并叠置在所述绝缘层上，另一部分所述顶层金属层覆盖在所述第一光刻胶掩膜上；去除所述第一光刻胶掩膜和所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层，所述第一开口中的所述顶层金属层形成上电极，所述上电极和所述下电极交叠的区域形成半导体结构。