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一种图像传感器及其制作方法
摘要文本
本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,属于半导体技术领域,所述图像传感器包括:衬底,具有相对的第一表面和第二表面;浅沟槽隔离结构,由所述第二表面延伸至所述衬底内;隔离层,设置在所述衬底内,所述隔离层与所述浅沟槽隔离结构在衬底内的一端接触;隔离掺杂区,由所述第一表面延伸至所述隔离层上,所述隔离掺杂区通过所述衬底进行掺杂和刻蚀获得;多个光电感应区,设置在所述隔离掺杂区之间,且所述光电感应区的底部与所述衬底接触;以及格栅结构,设置在所述隔离掺杂区上。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法,简化制作流程,并提高图像传感器的良率和质量。
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230000 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种图像传感器及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410078072.1 |
| 申请日 | 2024/1/19 |
| 公告号 | CN117594624A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 陈维邦 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种图像传感器,其特征在于,至少包括:衬底,具有相对的第一表面和第二表面;浅沟槽隔离结构,由所述第二表面延伸至所述衬底内;隔离层,设置在所述衬底内,所述隔离层与所述浅沟槽隔离结构在衬底内的一端接触;隔离掺杂区,由所述第一表面延伸至所述隔离层上,所述隔离掺杂区通过所述衬底进行掺杂和刻蚀获得;多个光电感应区,设置在所述隔离掺杂区之间,且所述光电感应区的底部与所述衬底接触;以及格栅结构,设置在所述隔离掺杂区上。