一种LDMOS结构以及制备方法

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本发明提供一种LDMOS结构以及制备方法，LDMOS结构包括位于衬底中且间隔设置的漂移区和体区，位于漂移区中的漏极、位于体区中的源极，还包括凹槽、氧化层、栅氧层和多晶硅层，氧化层位于漂移区上方，凹槽位于体区，凹槽和氧化层相邻设置，凹槽的部分延伸至漂移区和体区之间的间隙中，漏极和源极分别位于凹槽和氧化层的外侧，栅氧层覆盖凹槽的底壁和侧壁，多晶硅层覆盖栅氧层并填充凹槽，同时还覆盖氧化层靠近栅氧层一侧的部分表面，凹槽能够合理的分散多晶硅栅极两侧的电场，使得反型沟道合理的沿多晶硅栅极分布；多晶硅层覆盖栅氧层并填充凹槽，同时还覆盖氧化层靠近栅氧层一侧的部分表面，可以提高击穿电压，并缩短LDMOS结构的尺寸。