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图像传感器及其制作方法
摘要文本
本发明提供一种图像传感器及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底内形成阻挡层；对衬底进行离子注入，在阻挡层上形成第一光电二极管区；在衬底内形成多个隔离结构，每个隔离结构的底部均与阻挡层相接触，第一光电二极管区位于相邻隔离结构之间；在隔离结构上形成格栅；至少在衬底上形成具有掺杂元素的牺牲层，并进行快速热处理，使得掺杂元素扩散至衬底内，以在第一光电二极管区上形成第二光电二极管区。本发明采用离子注入与固相扩散相结合的方式形成光电二极管区，减小了离子注入的深度，从而能够减小由于离子注入对衬底造成的损伤，由此抑制串扰。。来自马-克-数-据
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 图像传感器及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410003972.X |
| 申请日 | 2024/1/3 |
| 公告号 | CN117497552A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 陈维邦; 郑志成 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，在所述衬底内形成阻挡层，所述阻挡层在所述衬底上的投影与所述衬底相重合；对所述衬底进行离子注入，在所述衬底内的所述阻挡层上形成第一光电二极管区；在所述衬底内形成多个隔离结构，每个所述隔离结构的底部均与所述阻挡层相接触，所述第一光电二极管区位于相邻所述隔离结构之间；在所述隔离结构上形成格栅；以及至少在所述衬底上形成具有掺杂元素的牺牲层，并进行快速热处理，使得所述掺杂元素扩散至所述衬底内，以在所述第一光电二极管区上形成第二光电二极管区。 （更多数据，详见马克数据网）