← 返回列表
光刻图形量测检测方法及其系统
摘要文本
本公开涉及一种光刻图形量测检测方法及其系统。光刻图形量测检测方法包括：获取光刻图形的量测图片；获取光刻图形对应母版的标准图片；将量测图片与标准图片进行比对，获取量测图片的辅助检测结果；辅助检测结果包括：图形是否异常、工艺是否异常及量测是否异常中的至少一种异常判定结果。上述光刻图形量测检测方法可以对光刻量测图片进行进一步的异常判定，有效提升了光刻图形缺陷的处理效率和产品良率，从而进一步提高半导体器件的性能。 来自：马 克 团 队
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 光刻图形量测检测方法及其系统 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410130842.2 |
| 申请日 | 2024/1/31 |
| 公告号 | CN117666297A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | G03F7/20 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 赵志豪; 李海峰; 沈俊明; 古哲安; 吴建宏 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种光刻图形量测检测方法，其特征在于，包括：获取光刻图形的量测图片；获取所述光刻图形对应母版的标准图片；将所述量测图片与所述标准图片进行比对，获取所述量测图片的辅助检测结果；所述辅助检测结果包括：图形是否异常、工艺是否异常及量测是否异常中的至少一种异常判定结果。