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光阻图形的形成方法
摘要文本
本发明提供了一种光阻图形的形成方法，包括：提供若干片晶圆和两枚光罩，依次将每片晶圆载入一曝光机中，曝光机中存储有两枚光罩的设定曝光能量以及每片晶圆对应的两枚光罩的曝光顺序；将先曝光的光罩载入曝光机中，执行第一曝光进程，根据先曝光的光罩的设定曝光能量对晶圆进行曝光；将先曝光的光罩替换为后曝光的光罩，并输入修正系数，获得后曝光的光罩的修正曝光能量；执行第二曝光进程，根据后曝光的光罩的修正曝光能量对晶圆进行曝光；执行烘烤工艺，以及执行显影工艺，以获得晶圆上形成的光阻图形。本发明改善曝光后因烘烤延迟导致的若干片晶圆上形成的光阻图形的CD值差异。
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 光阻图形的形成方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410194519.1 |
| 申请日 | 2024/2/22 |
| 公告号 | CN117761975A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | G03F7/20 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 张润生; 张琼; 卢书强 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种光阻图形的形成方法，其特征在于，包括：提供若干片晶圆和两枚光罩，依次将每片所述晶圆载入一曝光机中，所述曝光机中存储有两枚所述光罩的设定曝光能量以及每片所述晶圆对应的两枚所述光罩的曝光顺序；按照所述曝光顺序，将先曝光的光罩载入所述曝光机中，执行第一曝光进程，根据先曝光的光罩的设定曝光能量对所述晶圆进行曝光；将先曝光的光罩替换为后曝光的光罩，并输入修正系数，根据所述修正系数修正后曝光的光罩的设定曝光能量获得后曝光的光罩的修正曝光能量；执行第二曝光进程，根据后曝光的光罩的修正曝光能量对所述晶圆进行曝光；对所述晶圆执行烘烤工艺；以及，对所述晶圆执行显影工艺，以获得所述晶圆上形成的光阻图形。