半导体器件、半导体器件的制作方法以及三维存储器

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本申请提供了一种半导体器件、半导体器件的制作方法以及三维存储器。该器件包括衬底、栅极结构以及两个外延部，其中，栅极结构位于衬底的部分表面上；两个外延部分别位于栅极结构的两侧的衬底中，外延部的预定截面的形状在靠近栅极结构的一侧具有至少两个尖角，且一个外延部的至少两个尖角沿着预定方向排列。该器件的两个外延部的预定截面的形状在靠近栅极结构的一侧具有至少两个尖角，且一个外延部的至少两个尖角沿着预定方向排列，两个外延部形成了至少两对相对的尖角，进一步增加沟道内的应力，从而提升半导体器件的性能，进而解决了现有技术中半导体器件的沟道内应力较低导致半导体性能较差的问题。