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一种半导体器件的制备方法
摘要文本
本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体层中形成掺杂区；在半导体层的第一表面形成绝缘层，并且形成从绝缘层远离半导体层的表面延伸至半导体层内部的沟槽，沟槽包括上部、下部以及上部和下部之间的顶角，掺杂区与沟槽邻接；形成第一氧化层、隔离层以及第二氧化层，所述第一氧化层覆盖所述沟槽下部的内壁以及所述顶角，所述隔离层共形地覆盖所述第一氧化层以及所述上部的内壁，所述第二氧化层覆盖所述隔离层，并且填充所述沟槽；以及去除沟槽的上部内的第二氧化层和部分的绝缘层；其中，在形成第二氧化层之后，或者在去除沟槽的上部内的第二氧化层和部分的绝缘层之后还包括对沟槽的顶角进行离子注入的步骤。
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体器件的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410193652.5 |
| 申请日 | 2024/2/21 |
| 公告号 | CN117747536A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L21/762 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 宋富冉; 施平; 周儒领; 黄厚恒; 杨梦宇 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体层中形成掺杂区；在所述半导体层的第一表面形成绝缘层，并且形成从绝缘层远离半导体层的表面延伸至半导体层内部的沟槽，所述沟槽包括上部、下部以及上部和下部之间的顶角，所述掺杂区与所述沟槽邻接；形成第一氧化层、隔离层以及第二氧化层，所述第一氧化层覆盖所述沟槽下部的内壁以及所述顶角，所述隔离层共形地覆盖所述第一氧化层以及所述上部的内壁，所述第二氧化层覆盖所述隔离层，并且填充所述沟槽；以及去除所述沟槽上部内的第二氧化层和部分的绝缘层；其中，在形成第二氧化层之后，或者在去除所述沟槽上部内的第二氧化层和部分的绝缘层之后还包括对所述沟槽的顶角进行离子注入的步骤。 来自马-克-数-据