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一种图像传感器及其制作方法
摘要文本
本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,属于半导体制造领域。针对现有技术中存在的背照式图像传感器暗电流高、有串扰效应的问题,本发明提供了一种图像传感器及其制作方法,包括衬底;隔离层,设置在衬底一侧;浅沟槽隔离结构,由衬底另一侧表面向内延伸并与隔离层接触;深沟槽隔离结构,位于隔离层背离浅沟槽隔离结构一侧;格栅结构,设置在所述深沟槽隔离结构上;以及多层光电感应区,设置在深沟槽隔离结构之间的区域内,还包括在格栅结构之间的滤光结构。通过先去除部分衬底区域;在去除区域形成多层光电感应区;后在形成深沟槽隔离结构以及格栅结构,并最终设置滤光结构;它具有减少串扰效应、降低暗电流以及提高图像质量的效果。
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种图像传感器及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410199372.5 |
| 申请日 | 2024/2/23 |
| 公告号 | CN117790523A |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01L27/146 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 陈维邦 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:衬底;隔离层,设置在衬底一侧;浅沟槽隔离结构,由衬底另一侧表面向内延伸并与隔离层接触;深沟槽隔离结构,位于隔离层背离浅沟槽隔离结构一侧;格栅结构,设置在所述深沟槽隔离结构上;以及多层光电感应区,设置在深沟槽隔离结构之间的区域内;所述多层光电感应区还覆盖有依次设置的第一氧化层和稳定层。 搜索马 克 数 据 网