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一种图像传感器及其制作方法

申请号: CN202410199372.5
申请人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日期: 2024/2/23

摘要文本

本发明公开了一种图像传感器及其制作方法,属于半导体制造领域。针对现有技术中存在的背照式图像传感器暗电流高、有串扰效应的问题,本发明提供了一种图像传感器及其制作方法,包括衬底;隔离层,设置在衬底一侧;浅沟槽隔离结构,由衬底另一侧表面向内延伸并与隔离层接触;深沟槽隔离结构,位于隔离层背离浅沟槽隔离结构一侧;格栅结构,设置在所述深沟槽隔离结构上;以及多层光电感应区,设置在深沟槽隔离结构之间的区域内,还包括在格栅结构之间的滤光结构。通过先去除部分衬底区域;在去除区域形成多层光电感应区;后在形成深沟槽隔离结构以及格栅结构,并最终设置滤光结构;它具有减少串扰效应、降低暗电流以及提高图像质量的效果。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种图像传感器及其制作方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410199372.5
申请日 2024/2/23
公告号 CN117790523A
公开日 2024/3/29
IPC主分类号 H01L27/146
权利人 合肥晶合集成电路股份有限公司
发明人 陈维邦
地址 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号

专利主权项内容

1.一种图像传感器,其特征在于,包括:衬底;隔离层,设置在衬底一侧;浅沟槽隔离结构,由衬底另一侧表面向内延伸并与隔离层接触;深沟槽隔离结构,位于隔离层背离浅沟槽隔离结构一侧;格栅结构,设置在所述深沟槽隔离结构上;以及多层光电感应区,设置在深沟槽隔离结构之间的区域内;所述多层光电感应区还覆盖有依次设置的第一氧化层和稳定层。 搜索马 克 数 据 网