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半导体器件的制作方法以及半导体器件
摘要文本
本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供包括衬底以及栅极结构的基底，且栅极结构位于衬底的部分表面上；然后，在衬底的靠近栅极结构的裸露表面上形成层叠的金属硅化物层以及氧化层，得到预备结构；最后，对预备结构循环进行等离子元素处理以及自由基元素处理，以去除氧化层，使得金属硅化物层裸露，得到目标结构，其中，等离子元素处理与自由基元素处理所用的元素不同，等离子元素处理用于表征使用等离子体对预备结构进行处理，自由基元素处理用于表征使用自由基对预备结构进行处理。解决了现有技术中由于氧化层的存在导致器件良率较差的问题，保证了半导体器件的性能较好。 数据由马 克 团 队整理
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件的制作方法以及半导体器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410092631.4 |
| 申请日 | 2024/1/23 |
| 公告号 | CN117613003A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | H01L21/768 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 李渊; 游咏晞 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底部分表面上的栅极结构；在所述衬底的靠近所述栅极结构的裸露表面上形成层叠的金属硅化物层以及氧化层，得到预备结构；对所述预备结构循环进行等离子元素处理以及自由基元素处理，以去除所述氧化层，使得所述金属硅化物层裸露，得到目标结构，其中，所述等离子元素处理与所述自由基元素处理所用的元素不同，所述等离子元素处理用于表征使用等离子体对所述预备结构进行处理，所述自由基元素处理用于表征使用自由基对所述预备结构进行处理。