一种半导体器件的形成方法

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本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有多个间隔设置的伪栅极，伪栅极上依次形成有氮化硅层和氧化物层，相邻伪栅极之间填充有层间介质层；对层间介质层进行平坦化直至暴露出氮化硅层；在层间介质层上依次形成BARC层和图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜依次刻蚀BARC层和氮化硅层；刻蚀去除伪栅极，以提供专门的掩膜刻蚀工艺去除氮化硅层，使得在干法去除氮化硅层时，BARC层覆盖层间介质层，从而解决了后续金属栅极材料填充时金属栅极过低造成的电性测试失效的问题，还解决了对层间介质层进行平坦化时氮化硅层的厚度不均匀性造成的氮化硅层残留的问题。