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浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法
摘要文本
本发明公开了一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法，本发明利用现有技术中制备阱区时的离子注入设备，在制备浅沟槽隔离结构过程中的台阶调整之后，注入一定浓度的B离子到AA corner，之后移除垫氮化层，在半导体衬底上得到若干浅沟槽隔离结构。通过若干浅沟槽隔离结构将半导体衬底分隔成若干N型或者P型有源区，根据设计对有源区进行源区、漏区、沟道和栅极制备，形成NMOS或者PMOS。由于本发明提前在设计为NMOS区域四周的浅沟槽隔离结构内注入B离子，使得后续在该有源区制备阱区时，能够避免有源区AA与STI搭界处的B离子析出至STI中，导致NMOS的阈值电压Vt无法满足设计要求的问题。本发明改造成本低廉，修正阈值电压效果好，具体较大的实用价值。 （来自 马克数据网）
申请人信息
- 申请人:合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址:230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 发明人: 合肥晶合集成电路股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410191068.6 |
| 申请日 | 2024/2/21 |
| 公告号 | CN117747535A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L21/762 |
| 权利人 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 发明人 | 宋富冉; 周儒领; 施平; 韩飘飘; 周欢 |
| 地址 | 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号 |
专利主权项内容
1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有垫氧化层和垫氮化层；对所述垫氮化层、所述垫氧化层和所述半导体衬底进行刻蚀，以形成沟槽，所述沟槽从所述垫氮化层延伸至所述半导体衬底中，沟槽将半导体衬底分割为若干有源区；依次形成线氧化层和线氮化层于所述沟槽内壁；形成隔离氧化层于所述沟槽中，且所述隔离氧化层覆盖沟槽及所述垫氮化层；对所述隔离氧化层进行平坦化处理，以暴露出所述垫氮化层；通过湿法刻蚀移除部分所述隔离氧化层，以调整隔离氧化层的台阶高度；对设计为NMOS的有源区的沟槽内隔离氧化层注入B离子，注入到有源区内一定深度；通过湿法刻蚀移除所述垫氮化层。 关注公众号马克数据网