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一种在空气环境中的铜-铜低温直接键合方法

申请号: CN202410123350.0
申请人: 安徽大学
申请日期: 2024/1/30

摘要文本

本发明属于三维封装技术领域,公开了一种在空气环境中的铜‑铜低温直接键合方法,包括以下步骤:首先,在空气环境中,利用丙三醇对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理,得到待键合的镀铜键合体;然后,在空气环境中,对待键合的镀铜键合体进行加压键合。本发明所提供的键合方法的气体氛围是正常的大气环境,无需保护气体,工艺简单、工艺成本低,有利于工业化生产,且所得到的铜‑铜键合面的剪切强度高。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种在空气环境中的铜-铜低温直接键合方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202410123350.0
申请日 2024/1/30
公告号 CN117690869A
公开日 2024/3/12
IPC主分类号 H01L21/768
权利人 安徽大学
发明人 杨文华; 陆康; 谢超; 黄志祥
地址 安徽省合肥市经济技术开发区九龙路111号

专利主权项内容

来源:马 克 团 队 1.一种在空气环境中的铜-铜低温直接键合方法,其特征在于,包括以下步骤:首先,在空气环境中,利用丙三醇对清洁的镀铜键合体的镀铜面进行预处理,得到待键合的镀铜键合体;然后,在空气环境中,对待键合的镀铜键合体进行加压键合。