← 返回列表

存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元

申请号: CN202410102312.7
申请人: 合肥兆芯电子有限公司
申请日期: 2024/1/25

摘要文本

本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括:设定分别对应于多个实体抹除单元的多个预设读取次数阈值;在背景操作中,响应于多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元的读取次数大于其对应的预设读取次数阈值,读取第一实体抹除单元中的多条字线以取得多个第一错误比特数;根据多个第一错误比特数判断是否需要对第一实体抹除单元进行更新操作;响应于不需要对第一实体抹除单元进行更新操作,选择多条字线中具有最大的第一错误比特数的第一字线,并且侦测第一字线的电压分布变化量;以及根据电压分布变化量计算第一实体抹除单元的新读取次数阈值。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
专利类型 发明申请
申请号 CN202410102312.7
申请日 2024/1/25
公告号 CN117636967A
公开日 2024/3/1
IPC主分类号 G11C16/08
权利人 合肥兆芯电子有限公司
发明人 王智麟; 姚冬冬; 曹快
地址 安徽省合肥市高新区创新产业园二期F3楼12-13层

专利主权项内容

1.一种存储器控制方法,其特征在于,用于存储器存储装置,其中所述存储器存储装置包括可复写式非易失性存储器模块,所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元,且所述存储器控制方法包括:设定分别对应于所述多个实体抹除单元的多个预设读取次数阈值;在背景操作中,响应于所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元的读取次数大于其对应的预设读取次数阈值,读取所述第一实体抹除单元中的多条字线以取得多个第一错误比特数;根据所述多个第一错误比特数判断是否需要对所述第一实体抹除单元进行更新操作;响应于不需要对所述第一实体抹除单元进行更新操作,选择多条字线中具有最大的第一错误比特数的第一字线,并且侦测所述第一字线的电压分布变化量;以及根据所述电压分布变化量计算所述第一实体抹除单元的新读取次数阈值。