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半导体结构及其制备方法
摘要文本
本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于所述衬底内形成栅极沟槽；于所述栅极沟槽的下部依次沉积导电阻挡层和第一栅极导电层；于所述栅极沟槽的上部侧壁形成绝缘隔离层；于所述第一栅极导电层的顶部形成第二栅极导电层。采用本公开的半导体结构的制备方法能够提高良率。 （来源 马克数据网）
申请人信息
- 申请人:长鑫新桥存储技术有限公司
- 申请人地址:230601 安徽省合肥市经济技术开发区新淮大道2788号
- 发明人: 长鑫新桥存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410004543.4 |
| 申请日 | 2024/1/3 |
| 公告号 | CN117529102A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H10B12/00 |
| 权利人 | 长鑫新桥存储技术有限公司 |
| 发明人 | 宛伟; 李冉 |
| 地址 | 安徽省合肥市经济技术开发区新淮大道2788号 |
专利主权项内容
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；于所述衬底内形成栅极沟槽；于所述栅极沟槽的下部依次沉积导电阻挡层和第一栅极导电层；于所述栅极沟槽的上部侧壁形成绝缘隔离层；于所述第一栅极导电层的顶部形成第二栅极导电层。