一种SiC MOSFET结温监测电路和方法

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本发明揭示了一种SiC MOSFET结温监测电路和方法，所述SiC MOSFET结温监测电路包括RC缓冲电路和信号调理电路；RC缓冲电路用于连接待测功率器件Q1的漏极和源极；RC缓冲电路用于捕获待测功率器件Q1开通时漏‑源电压的变化起始时刻，输出一电压信号，并将电压信号的幅值缩小至信号调理电路的安全阈值内；信号调理电路与RC缓冲电路的输出端相连；信号调理电路和待测功率器件Q1的栅极相连；信号调理电路用于对来自RC缓冲电路的电压信号进行运算处理，并与来自待测功率器件Q1的PWM信号进行逻辑比较，转换出表征待测功率器件Q1结温所需的温度敏感电参数。本发明能够提高温敏电参数的敏感度，且不需要在正常开关周期内添加额外的测试脉冲，实现器件结温的实时在线监测。