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电压调整方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元
摘要文本
本发明提供一种电压调整方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括:基于第一读取电压读取第一实体单元,以获得第一计数值,其中第一计数值反映第一实体单元中临界电压小于第一读取电压的多个存储单元的总数;根据第一计数值与第一预设值之间的差值获得第二计数值;将第二计数值带入目标公式,以获得电压调整参数;根据电压调整参数将第一读取电压调整为第二读取电压;以及基于第二读取电压读取第一实体单元。由此,可提高数据读取效率。 (来 自 马 克 数 据 网)
申请人信息
- 申请人:合肥兆芯电子有限公司
- 申请人地址:230088 安徽省合肥市高新区创新产业园二期F3楼12-13层
- 发明人: 合肥兆芯电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 电压调整方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410090932.3 |
| 申请日 | 2024/1/23 |
| 公告号 | CN117608501A |
| 公开日 | 2024/2/27 |
| IPC主分类号 | G06F3/06 |
| 权利人 | 合肥兆芯电子有限公司 |
| 发明人 | 胡健; 洪婉君; 吴宗霖; 朱启傲; 彭崇 |
| 地址 | 安徽省合肥市高新区创新产业园二期F3楼12-13层 |
专利主权项内容
1.一种电压调整方法,其特征在于,用于可复写式非易失性存储器模块,所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元,所述电压调整方法包括:基于第一读取电压读取所述多个实体单元中的第一实体单元,以获得第一计数值,其中所述第一计数值反映所述第一实体单元中临界电压小于所述第一读取电压的多个存储单元的总数;根据所述第一计数值与第一预设值之间的差值获得第二计数值;将所述第二计数值带入以下公式,以获得电压调整参数,
,其中ΔR代表所述电压调整参数,ΔCNT1代表所述第二计数值,且a与b为常数;根据所述电压调整参数将所述第一读取电压调整为第二读取电压;以及基于所述第二读取电压读取所述第一实体单元。