存储器控制器、存储器管理方法及存储装置
摘要文本
本发明公开了一种存储器控制器、存储器管理方法及存储装置,其中该存储器管理方法包括:识别主机系统当前的电源模式;从指令伫列获取目标指令;响应于判定目标指令用以启用写入提升模式,判断电源模式是否为最高等级;响应于判定电源模式为最高等级,判断当前所使用的快取块是否属于三阶存储单元类型的实体块;响应于判定当前所使用的快取块属于三阶存储单元类型的实体块,冻结为三阶存储单元类型的快取块;使用单阶存储单元类型的实体块作为新的快取块,以将快取数据写入到新的快取块;以及启用写入提升模式,并且发送启用完成回应。本发明能够在不同写入场景下,在应用写入提升功能时让资源分配更加合理。
申请人信息
- 申请人:合肥开梦科技有限责任公司
- 申请人地址:230088 安徽省合肥市高新区创新大道创新国际广场写字楼B座2101、2102室
- 发明人: 合肥开梦科技有限责任公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 存储器控制器、存储器管理方法及存储装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202410044097.X |
| 申请日 | 2024/1/12 |
| 公告号 | CN117555492B |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | G06F3/06 |
| 权利人 | 合肥开梦科技有限责任公司 |
| 发明人 | 郭俐宏; 尹俊; 朱凯迪; 王志; 吴宗霖; 朱启傲 |
| 地址 | 安徽省合肥市高新区创新大道创新国际广场写字楼B座2101、2102室 |
专利主权项内容
1.一种存储控制器,用于控制配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置,其特征在于,所述存储控制器包括:存储器接口控制电路,用以电性连接至所述可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储器晶粒,其中每一所述存储器晶粒具有多个实体块;以及处理器,电性连接至所述存储器接口控制电路,其中所述处理器被配置用以:识别主机系统当前的电源模式,其中该电源模式包括由大至小对应的多种功耗等级,并且不同功耗等级的该电源模式可以对应不同的主机速率;从指令伫列获取目标指令;响应于判定所述目标指令用以启用写入提升模式,判断所述电源模式是否为最高等级;响应于判定所述电源模式为所述最高等级,判断当前所使用的快取块是否属于三阶存储单元类型的所述实体块;响应于判定当前所使用的所述快取块属于所述三阶存储单元类型的所述实体块,冻结为所述三阶存储单元类型的所述快取块;使用单阶存储单元类型的所述实体块作为新的所述快取块,以将快取数据写入到所述新的快取块;以及启用所述写入提升模式,并且发送启用完成回应;其中,响应于判定所述目标指令不是用以启用所述写入提升模式,执行所述目标指令;响应于判定当前的所述电源模式不为所述最高等级,启用所述写入提升模式,并且发送所述启用完成回应;响应于判定当前的所使用的所述快取块不属于所述三阶存储单元类型的所述实体块,启用所述写入提升模式,并且发送所述启用完成回应。