一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法

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本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种高击穿电压碳化硅肖特基二极管及其制备方法。高击穿电压碳化硅肖特基二极管包括由下至上依次设置的第一金属Ni电极、SiC衬底、n+‑SiC缓冲层、n‑SiC层和p‑GaN帽层，所述p‑GaN帽层贯穿设有凹槽，所述凹槽的下部位于所述n‑SiC层，所述凹槽内设置与所述n‑SiC层顶部和所述p‑GaN帽层顶部相接的金属Ti电极，所述金属Ti电极上设置第二金属Ni电极，所述n‑SiC层、p‑GaN帽层、金属Ti电极和第二金属Ni电极的顶部设置具有开孔的SiO2钝化层。本发明使用p型掺杂GaN与n‑SiC形成异质结，无需增厚n‑SiC即可提高碳化硅肖特基二极管的击穿电压，并具有高可靠性和低成本的优势。