← 返回列表
一种薄膜光泵垂直腔表面发射激光器及其制备方法
摘要文本
本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种薄膜光泵垂直腔表面发射激光器及其制备方法。制备方法包括在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、InGaP腐蚀阻挡层、GaAs窗口层、AlGaAs窗口层和周期性AlGaInP/InGaP多量子阱层、TiO2/SiO2的DBR结构，得到晶圆结构；清洗晶圆结构；将TiO2/SiO2的DBR结构键合在AlN陶瓷片上；去除GaAs衬底、GaAs缓冲层、InGaP腐蚀阻挡层。该制备方法采用TiO2/SiO2的DBR结构，有效降低生长工艺难度，降低生产成本。能够较为容易的制备可见光波段的薄膜光泵垂直腔表面发射激光器，且能够制备较大功率的薄膜光泵垂直腔表面发射激光器。
申请人信息
- 申请人:山东省科学院激光研究所
- 申请人地址:272073 山东省济宁市高新区海川路46号激光所综合楼
- 发明人: 山东省科学院激光研究所
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种薄膜光泵垂直腔表面发射激光器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202410223602.7 |
| 申请日 | 2024/2/29 |
| 公告号 | CN117810809A |
| 公开日 | 2024/4/2 |
| IPC主分类号 | H01S5/183 |
| 权利人 | 山东省科学院激光研究所 |
| 发明人 | 唐先胜; 韩丽丽; 王兆伟; 宫卫华; 李仕龙; 王舒蒙; 张伟 |
| 地址 | 山东省济宁市高新区海川路46号激光所综合楼 |
专利主权项内容
1.一种薄膜光泵垂直腔表面发射激光器的制备方法，其特征在于，包括：提供一层GaAs衬底；采用分子束外延技术在所述GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、InGaP腐蚀阻挡层、GaAs窗口层、AlGaAs窗口层和周期性AlGaInP/InGaP多量子阱层；采用电子束沉积技术在所述周期性AlGaInP/InGaP多量子阱层上沉积TiO/SiO的DBR结构，得到晶圆结构；2>依次采用丙酮、酒精和去离子水清洗所述晶圆结构；将所述晶圆结构的TiO/SiO的DBR结构键合在AlN陶瓷片上；>>采用HF、CHCOOH、HNO以及HO的混合溶液腐蚀所述GaAs衬底和所述GaAs缓冲层；>>>利用湿法腐蚀技术，采用HCl溶液去除所述InGaP腐蚀阻挡层，得到薄膜光泵垂直腔表面发射激光器。