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一种混合型驻极体麦克风的电源偏置电路

申请号: CN202420758746.8
申请人: 杭州国芯微电子股份有限公司
更新日期: 2026-04-07

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种混合型驻极体麦克风的电源偏置电路
专利类型 实用新型
申请号 CN202420758746.8
申请日 2024/4/12
公告号 CN222089765U
公开日 2024/11/29
IPC主分类号 H04R19/01
权利人 杭州国芯微电子股份有限公司
发明人 梁骏; 叶丰; 章南; 陈余浪; 杨智建; 李俊立; 赵丹; 郭屹粟; 王晓虎
地址 浙江省杭州市文三路90号东部软件园创新大厦A座5-6层

摘要文本

杭州国芯微电子股份有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型涉及一种混合型驻极体麦克风的电源偏置电路。两个PMOS管的源极连接电源输入端,栅极连接运算放大器的输出端,第一PMOS管的漏极和分压电阻的一端连接模式选择开关的一端,第二PMOS管P的漏极连接模式选择开关的另一端和第一信号选择开关的一端,第一信号选择开关另一端连接第二信号选择开关的一端,为麦克风信号输入端;运算放大器的负输入端和分压电阻的另一端连接负载电阻阵列的输入端,运算放大器的正输入端连接基准电压。本实用新型通过开关选择电压型偏置和电流型偏置,电压型偏置与驻极体麦克风传统偏置电路兼容,电流型偏置输出端口同时作为麦克风的输入信号管脚,只需一个芯片管脚,减少了芯片封装体积与成本。

专利主权项内容

1.一种混合型驻极体麦克风的电源偏置电路,其特征在于:包括两个PMOS管、一个分压电阻、一个运算放大器、一个负载电阻阵列、一个模式选择开关和两个信号选择开关;第一PMOS管的宽长比与第二PMOS管的宽长比的比列为1 : M,M≥1;
第一PMOS管P1和第二PMOS管P2的源极连接电源输入端VDDin,第一PMOS管P1和第二PMOS管P2的栅极连接运算放大器A的输出端,第一PMOS管P1的漏极和分压电阻R的一端连接模式选择开关K的一端,第二PMOS管P2的漏极连接模式选择开关K的另一端和第一信号选择开关S1的一端,第一信号选择开关S1的另一端连接第二信号选择开关S2的一端,作为麦克风信号输入端;运算放大器A的负输入端和分压电阻R的另一端连接负载电阻阵列的输入端,运算放大器A的正输入端连接基准电压;
所述的负载电阻阵列包括多个负载电阻R1, R2, , RN和数量相同的电阻档位开关K1, K2, , KN;所有负载电阻的一端连接,作为负载电阻阵列的输入端;每个负载电阻的一端与对应的电阻档位开关的一端连接,所有电阻档位开关的另一端连接并接地。
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