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超声波指纹识别像素结构、芯片及电子设备

申请号: CN202010312839.4
申请人: 上海思立微电子科技有限公司
更新日期: 2026-03-08

摘要文本

上海思立微电子科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明提供了一种超声波指纹识别像素结构、一种超声波指纹识别芯片以及一种具有指纹识别功能的电子设备。所述超声波指纹识别芯片包括设置于硅基底上的超声波指纹识别区,其中设置有呈阵列排布的若干超声波指纹识别像素结构。所述超声波指纹识别像素结构形成于对应的CMOS信号电路单元表面,CMOS信号电路单元的第一接触垫和第二接触垫分别通过导电通孔与激励层中的顶电极和底电极电性连接,通过这两个接触垫给对应的超声波指纹识别像素结构施加激励信号或者接收信号,该像素结构在满足与CMOS信号电路单元互联的基础上设计简洁,有助于优化超声波指纹识别芯片的设计,提升性能。所述电子设备在指纹识别区设置有所述超声波指纹识别芯片。

专利主权项内容

1.一种超声波指纹识别像素结构,其特征在于,形成于与所述超声波指纹识别像素结构对应的CMOS信号电路单元表面,所述CMOS信号电路单元具有第一接触垫和第二接触垫,所述超声波指纹识别像素结构包括:空腔,设置于绝缘层内,所述绝缘层设置于所述CMOS信号电路单元表面;激励层,覆盖所述空腔,所述激励层包括顶电极、底电极以及设置于所述顶电极和底电极之间的压电层,所述激励层中的底电极暴露于所述空腔;第一导电通孔,贯穿所述激励层和所述绝缘层而分别电性连通所述顶电极与所述第一接触垫;第二导电通孔,贯穿所述激励层和所述绝缘层而分别电性连通所述底电极与所述第二接触垫;以及,至少一个释放孔,所述释放孔贯穿所述激励层并与所述空腔连通;所述CMOS信号电路单元通过所述第一接触垫和第二接触垫给与之对应的所述超声波指纹识别像素结构施加激励信号,或者接收所述超声波指纹识别像素结构换能形成的电信号。 (来自 马克数据网)

专利申请信息

项目 内容
专利名称 超声波指纹识别像素结构、芯片及电子设备
专利类型 发明授权
申请号 CN202010312839.4
申请日 2018年5月18日
公告号 CN111523436B
公开日 2024年2月9日
IPC主分类号 G06V40/13
权利人 上海思立微电子科技有限公司
发明人 黄景泽; 效烨辉; 程泰毅; 杨军
地址 上海市浦东新区盛夏路560号2幢1003室