一种具有防反接电路的ESD保护电路及其实现方法

专利主权项内容

1.一种具有防反接电路的ESD保护电路，其特征在于，所述具有防反接电路的ESD保护电路包括：ESD保护电路及防反接电路，所述ESD保护电路包括NMOS管，所述防反接电路包括防反接单元及衬底切换单元；其中，所述NMOS管的漏极端与正电源输入端相连，所述NMOS管的源极端与其栅极端相连并与负电源输入端相连，用于对内部电路进行ESD保护；以及所述防反接单元连接于所述正电源输入端和所述NMOS管的漏极端之间，用于当电源输入端接入正向电源电压时，所述防反接单元导通，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现通路；当所述电源输入端接入反向电源电压时，所述防反接单元关断，所述电源输入端与所述内部电路之间呈现开路；所述衬底切换单元与所述防反接单元相连，用于从电源电压和所述内部电路的输入电压中选择高电位电压作为所述防反接单元的衬底电压；所述防反接单元包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端接入所述正电源输入端，所述第一PMOS管的栅极端接入所述负电源输入端，所述第一PMOS管的漏极端与所述NMOS管的漏极端连接，所述第一PMOS管的衬底端与所述衬底切换单元连接；所述衬底切换单元包括：第二PMOS管和第三PMOS管，所述第二PMOS管的源极端与所述第三PMOS管的栅极端连接，同时接入电源电压，所述第二PMOS管的漏极端与所述第三PMOS管的漏极端连接，所述第二PMOS管的栅极端与所述第三PMOS管的源极端连接，同时接入所述内部电路的输入电压，所述第二PMOS管的衬底端与所述第三PMOS管的衬底端连接，同时与所述第二PMOS管的漏极端连接。