一种柔性离体微沟道微电极阵列集成芯片及其制备方法和用途

专利主权项内容

1.一种柔性离体微沟道微电极阵列集成芯片的制备方法，其特征在于，所述芯片包括：柔性基底、微电极、引线、多个焊盘和绝缘层；其中，多个所述微电极以阵列形式植于所述柔性基底上并突出于所述柔性基底的上表面；所述微电极均通过引线连接到处于所述柔性基底边缘的多个焊盘；所述引线的表面覆盖有绝缘层；所述柔性基底内设有微沟道，所述微沟道的第一端口位于所述柔性基底的上表面，与外界连通，第二端口位于所述柔性基底的侧面，与外界连通；所述制备方法包括如下步骤：(1)在柔性基底形成微沟道，使得所述微沟道的第一端口位于所述柔性基底的上表面，与外界连通，第二端口位于所述柔性基底的侧面，与外界连通；(2)在步骤(1)所得柔性基底的上表面进行光刻显影，沉积导电材料，得到微电极阵列、引线和焊盘；(3)在引线表面覆盖一层绝缘层；(4)将所述柔性基底表面的微沟道末端打通，使之与外界连通；其中，步骤(1)所述在柔性基底形成微沟道的方法包括：(1.1)在石英衬底的表面涂一层光刻胶，光刻显影后得到微沟道模型；(1.2)用所述柔性基底的材料淹没并填平微沟道模型，固化后，分离，得到微沟道暴露于表面的柔性基底；(1.3)将步骤(1.2)所得柔性基底上微沟道暴露的一面与另一柔性基底片粘合。