一种填充6LiF的半绝缘GaN微沟槽型中子探测器

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江西誉鸿锦材料科技有限公司; 东华理工大学取得“一种透气窗帘布”专利技术，本实用新型公开了一种填充6LiF的半绝缘GaN微沟槽型中子探测器，该探测器包括半绝缘GaN自支撑衬底、组合掩模层或者光刻胶掩模层、Si3N4钝化层、微沟槽结构、正面肖特基接触金属电极、背面欧姆接触金属电极以及正面填充的6LiF中子转换层材料，中子将从正面肖特基接触金属电极入射；在中子探测的过程中，正面的微沟槽结构极大的增加了GaN材料与中子转换层的接触面积，从而可有效提高各向同性发射的带电粒子进入半导体材料的概率；半绝缘GaN自支撑衬底厚度为200～400μm，能够保证在中子探测过程中所产生的二级带电粒子能够将能量完全损失在GaN材料内，极大的提高了探测效率；再加上第三代半导体GaN其宽禁带、高位阈能等优秀的物理、化学特性，使得GaN较Si、GaAs等材料在高温高压、强辐射等恶劣环境下表现出更加优异的性能。