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基于MOS管的继电器控制电路

申请号: CN202420930623.8
申请人: 青岛乾程科技股份有限公司
更新日期: 2026-04-22

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于MOS管的继电器控制电路
专利类型 实用新型
申请号 CN202420930623.8
申请日 2024/4/30
公告号 CN222071086U
公开日 2024/11/26
IPC主分类号 G05B19/042
权利人 青岛乾程科技股份有限公司
发明人 许珺; 张炯; 王军; 诸伟涛; 王永鑫; 吴一; 王鑫
地址 山东省青岛市崂山区科苑纬一路1号青岛国际创新园A座8楼

摘要文本

青岛乾程科技股份有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型涉及基于MOS管的继电器控制电路,其包括MCU模块U1、电阻R1‑8,MOS管QK4、MOS管QK5、MOS管QQ1、MOS管QQ2,继电器REW1‑3;电容C1;稳压二极管DW1、DW2;MCU模块U1具有控制脚RELAY_ON_CONTROL及RELAY_OFF_CONTROL。本实用新型设计合理、结构紧凑且使用方便。

专利主权项内容

1.一种基于MOS管的继电器控制电路,其特征在于:包括MCU模块U1、电阻R1-8,MOS管QK4、MOS管QK5、MOS管QQ1、MOS管QQ2,继电器REW1-3;电容C1;稳压二极管DW1、DW2;
MCU模块U1具有控制脚RELAY_ON_CONTROL及RELAY_OFF_CONTROL;
MOS管QK5栅极与MCU端相连,源极接到GND,漏极分别与电阻R1、MOS管QK4相连;
MOS管QQ1栅极与MCU端相连,源极接到GND,漏极分别与电阻R5、MOS管QK5相连;
MOS管QK5栅极与电阻R2、稳压二极管DW1相连,源极与电源VCC相连,漏极与MOS管QQ1的漏极相连;
MOS管QK4栅极与电阻R6、稳压二极管DW2相连,源极与电源VCC相连,漏极与MOS管QQ2的漏极相连;
TVS管DW3、DW2连接VCC和GND,DW1连接信号端和继电器线圈,其作用是抑制瞬态电压,保护电路;
稳压二极管DW1、DW2分别连接VCC与继电器控制信号RELAY_ON/RELAY_OFF;
控制脚RELAY_ON_CONTROL与电阻R8相连;
控制脚RELAY_OFF_CONTROL与电阻R4相连;
继电器REW1、继电器REW3之间电连接并联稳压二极管DW1及电容C1;
电容C1两端分别电连接RELAY_OFF及RELAY_ON。