一种多通道高压晶体管集成电路模块封装结构

专利主权项内容

1.一种多通道高压晶体管集成电路模块封装结构，其特征在于：
包括陶瓷外壳底座，环形边框，封口环，底座内腔底表面，高压芯片组装空间异构层错区，腔体底表面芯片组装区或键合区金属层，底座内腔，外电极背面金属层，外电极背面金属片，外电极侧面金属层，盖板；
所述陶瓷外壳底座顶面具有用于组装电子元器件的平底内腔及内腔周边的环形边框，平底内腔及内腔周边的环形边框共同围合成陶瓷外壳底座内腔；
在陶瓷外壳底座内腔的芯片组装区域，设置有高压晶体管芯片载体区、晶体管控制芯片载体区、信号反相芯片载体区，以高压晶体管芯片载体区为核心，晶体管控制芯片载体区、及信号反相芯片载体区穿插布局于高压晶体管芯片载体区之间，三个区域之间为物理隔离；
在高压晶体管芯片载体区有低于底表面的一个以上高压芯片组装空间异构层错区，在空间异构层错区的平底凹坑底表面设置有金属层，在金属层上面焊接有热沉，在热沉上按电路设计要求焊接有高压晶体管芯片；
在陶瓷外壳底座内腔的非空间异构层错区的底表面，根据电路具体结构设置有一个以上腔体底表面芯片组装区或键合区金属层，在腔体底表面芯片组装区上组装控制芯片单元和反相芯片单元及其他电子元器件；
在陶瓷外壳底座的背面，根据电路具体结构设置有一个以上外电极背面金属层，在外电极背面金属层上焊接有外电极背面金属片，外电极背面金属片的内端与外电极背面金属层平齐，外电极背面金属片的外端略微超出陶瓷外壳底座的底侧面；
在陶瓷外壳底座的侧面，根据电路具体结构设置有与在外电极背面金属层一一垂直的外电极侧面金属层；
根据电路具体结构，芯片与键合区之间、键合区与键合区之间通过键合丝进行键合连接；
在陶瓷外壳底座的环形边框上固接有封口环，在封口环上焊接有盖板。