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V型波长可调谐半导体激光器

申请号: CN202323496633.X
申请人: 浙江兰特普光电子技术有限公司
更新日期: 2026-04-22

专利详细信息

项目 内容
专利名称 V型波长可调谐半导体激光器
专利类型 实用新型
申请号 CN202323496633.X
申请日 2023/12/21
公告号 CN222072441U
公开日 2024/11/26
IPC主分类号 H01S5/10
权利人 浙江兰特普光电子技术有限公司
发明人 孟剑俊; 赵佳生; 何建军
地址 浙江省绍兴市诸暨市陶朱街道宝利路8号越烽大厦商务楼裙楼1-2层

摘要文本

浙江兰特普光电子技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型公开了一种V型波长可调谐半导体激光器,旨在提供一种低成本可调谐激光器,包括第一光学谐振腔,第二光学谐振腔,第一光学谐振腔和第二光学谐振腔呈V字形分布,第一光学谐振腔和第二光学谐振腔通过所述半波耦合器耦合,且两个谐振腔具有光学长度差异,所述的半波耦合器基于多模干涉耦合器,通过等比例缩小长宽来改变输出端能量分布,使得光能量聚合成像于第一光波导或第二光波导宽度内,形成有特定能量分布和波长选择性损耗的聚合成像型半波耦合器,反射结构Ⅰ、反射结构Ⅱ均具有深刻蚀反射面并镀有光学反射膜。 来源:马 克 团 队

专利主权项内容

1.一种V型波长可调谐半导体激光器,包括:
第一光学谐振腔,具有第一光波导,该第一光波导一端设有反射结构Ⅰ,另一端依次设有半波耦合器和反射结构Ⅱ;
第二光学谐振腔,具有第二光波导,该第二光波导一端设有反射结构Ⅲ,另一端依次设有所述半波耦合器和所述反射结构Ⅱ;
所述第一光学谐振腔和第二光学谐振腔呈V字形分布,第一光学谐振腔和第二光学谐振腔通过所述半波耦合器耦合,且两个谐振腔具有光学长度差异;
其特征在于:所述的半波耦合器基于多模干涉耦合器,通过等比例缩小长宽来改变输出端能量分布,使得光能量聚合成像于第一光波导或第二光波导宽度内,形成有能量分布和波长选择性损耗的聚合成像型半波耦合器,所述的反射结构Ⅰ、反射结构Ⅱ均具有深刻蚀反射面并镀有反射率膜。