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无触点继电器

申请号: CN202323280537.1
申请人: 内江绿能芯创电子科技有限公司
更新日期: 2026-04-22

专利详细信息

项目 内容
专利名称 无触点继电器
专利类型 实用新型
申请号 CN202323280537.1
申请日 2023/12/1
公告号 CN222073137U
公开日 2024/11/26
IPC主分类号 H03K17/795
权利人 内江绿能芯创电子科技有限公司
发明人 杨碧博; 廖奇泊; 曾铭钦; 马志勇
地址 四川省内江市高新区红桥街112号附1号1栋1单元4楼1号A区22号

摘要文本

内江绿能芯创电子科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本实用新型提供了一种无触点继电器,光耦合接收器IRR1的阳极分别连接电阻R1的一端和电阻R2的一端;电阻R1的另一端连接碳化硅三极管Q1的基极,电阻R2的另一端连接碳化硅三极管Q2的基极;光耦合接收器IRR1的阴极分别连接碳化硅三极管Q1的发射极、碳化硅二极管D1的正极、碳化硅三极管Q2的发射极以及碳化硅二极管D2的正极;碳化硅三极管Q1的集电极连接碳化硅二极管D1的负极,并形成输出端子A1;碳化硅三极管Q2的集电极连接碳化硅二极管D2的负极,并形成输出端子A2。本实用新型具备更强的抗干扰能力,能够承受更高的电压,产生更大的电流增益和更低的驱动损耗,提高整体效率。

专利主权项内容

1.一种无触点继电器,其特征在于,包括:一级保护放大电流电路,所述一级保护放大电流电路包括上桥保护电路和下桥保护电路;
上桥保护电路包括光耦合接收器IRR1、碳化硅三极管Q1、碳化硅二极管D1以及电阻R1;下桥保护电路包括碳化硅三极管Q2、碳化硅二极管D2以及电阻R2;
光耦合接收器IRR1的阳极分别连接上桥电阻R1的一端和下桥电阻R2的一端;上桥电阻R1的另一端连接上桥碳化硅三极管Q1的基极,下桥电阻R2的另一端连接下桥碳化硅三极管Q2的基极;
光耦合接收器IRR1的阴极分别连接上桥碳化硅三极管Q1的发射极、上桥碳化硅二极管D1的正极、下桥碳化硅三极管Q2的发射极以及下桥碳化硅二极管D2的正极;
碳化硅三极管Q1的集电极连接上桥碳化硅二极管D1的负极,并形成输出端子A1;碳化硅三极管Q2的集电极连接下桥碳化硅二极管D2的负极,并形成输出端子A2。 详见官网: